【作者】 张健； 王磊； 王维波； 程伟； 康耀辉； 陆海燕； 李欧鹏； 谷国华； 王志刚； 徐锐敏；

【Author】 ZHANG-jian;WANG-lei;WANG Wei-bo;CHENG-wei;KANG Yao-hui;LU Hai-yan;LI Ou-peng;GU Guo-hua;WANG Zhi-gang;XU Rui-min;Fundamental Science on EHF Laboratory, University of Electronic Science and Technology of China;Nanjing Electronic Devices Institute;

【机构】 电子科技大学极高频复杂系统国防重点学科实验室； 南京电子器件研究所；

【摘要】 本文设计了一款W波段单片低噪声放大器（LNA）,采用100 nm In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47As GaAs MHEMT（渐变组分高电子迁移率晶体管）工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5d B,噪声系数小于5d B,增益大于17d B,带内增益平坦度小于1.5d B,W波段全频带内增益大于12dB。芯片面积为2.6mm×1.6mm。更多还原

【Abstract】 In this paper, a monolithic W-band low noise amplifier（LNA） is presented by 100 nm In_0.52Al_0.48As/In_0.53Ga_0.47 AsGa As metamorphic high electron mobility transistors（MHEMTs）. The LNA is consisted by 4 stages 2×20um gate width transistors. The total circuit achieves more than 5dB return loss, less than 5dB noise figure with more than 17 dB associate gain from 75 GHz to 100 GHz and gain flatness of less than 1.5d B. Also the total circuit achieves more than 12 dB associate gain in the whole W-band. The chip area is 2.6mm×1.6mm.更多还原