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单层二维Ta2O5中电子缺陷能级的研究

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【作者】 李大海； 宋雄飞； 胡林枫； 王子仪； 张荣君； 周鹏； 陈良尧； 张卫；

【机构】 复旦大学信息学院光科学与工程系； 复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室； 复旦大学材料科学与工程系；

【摘要】 <正>二维原子层状材料是近期的研究热点,但是这些研究多数集中于场效应晶体管的沟道材料如单层MoS2、单层WS2等,单层栅极绝缘层材料如TiO2、Ta2O5等极少得到报道。我们利用Ta2O5纳米片集聚形成单层Fa2O5,其电学性能受到存在于Ta2O5中的电子缺陷非常严重的影响。因此,椭圆偏振光谱测量（椭偏法）被用于计算两个不同的氧空位的跃迁能量及对应的几率,X射线光电子能谱分析揭示了氧空位的存在。椭偏拟合同样计算出了单层Ta2O5

【关键词】 单层； 电子缺陷； 椭偏；
【基金】 中国国家自然科学基金(11174058、61376093);上海市科学技术委员会(13QA1400400);国家科技重大项目(2011ZX02707);上海市教委创新项目(12ZZ010)
  • 【会议录名称】 上海市激光学会2015年学术年会论文集
  • 【会议名称】上海市激光学会2015年学术年会
  • 【会议时间】2015-12-16
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】TQ135.13
  • 【主办单位】上海市激光学会
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