应变硅-锗硅多层半导体结构的多尺度实验力学分析

【作者】 仇巍； 亢一澜； 陆永枫；

【机构】 天津大学力学系； LANE Department of Electrical Engineering University of Nebraska-Lincoln；

【摘要】 <正>以硅锗缓冲双轴应变硅材料为研究对象,基于显微拉曼光谱力学测量技术,并配合显微白光干涉、扫描电镜、能量色散谱、纳米压痕、透射电镜等物性表征方法相结合,开展了面向多尺度物理与力学性能的实验研究.通过显微图像与能谱分析相对应,获取了应变硅结构的微观成分与尺寸分布;基于高分辨透射电镜图像,表征多层结构纳观尺更多还原