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SiC纳米棒Raman光谱的数值模拟方法

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【作者】 赵军； 范守善； 张树霖；

【机构】 北京大学物理系； 清华大学物理系；

【摘要】 <正>SiC纳米棒（SiC NR）是一种典型的极性低维纳米材料[1]。其Raman光谱,除了考虑尺寸限制外,还必须考虑长程Coulomb相互作用,即Fr（o|¨）hlich相互作用,以及杂质和缺陷对于Raman谱的影响。结果,人们发现SiC纳米棒的拉曼光谱对应于非晶即声子态密度的拉曼散射[1]。本文利用求解力常数矩阵的方法,得到了不同形状的3C-SiC的声子态密度的初步计算结果;并以此为基础对比SiC纳米棒的Raman光谱,从定性的角度对实验结果给予了初步验证。

【基金】 国家自然科学基金委的重大基金No.60290083;面上基金No.50272017;中国科学院红外物理国家重点实验室开放课题基金对本研究工作的资助
  • 【会议录名称】 第十二届全国光散射学术会议论文摘要集
  • 【会议名称】第十二届全国光散射学术会议
  • 【会议时间】2003-10-26
  • 【会议地点】中国辽宁大连
  • 【分类号】TB383.1;O433
  • 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会
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