拉曼光谱方法研究SiC晶体的晶型

【作者】 冯敏； 王玉芳； 郝建民； 蓝国祥；

【机构】 南开大学物理科学学院； 信息产业部四十六研究所；

【摘要】 <正>SiC在结构上具有多种晶型,包括立方结构（3C-SiC）,六角结构（2H,4H,6H等）,菱形结构（15R,21R等）^[1],其光学性质和电学性质也与其晶型相关,因此在SiC晶体生长、晶体质量、器件制作等方面都需要对其晶型进行分析。拉曼散射是一种无损伤探测手段,不需要对样品进行特别处理,在材料结构表征中有着重要的地位。并且SiC的拉曼光谱的强度较强,散射峰的频率和宽度中包含了SiC结构方面的大量信息,因此近年来拉曼光谱方法被广泛应用于SiC晶型的分析研究中。本文测试了SiC样品的更多还原