对质子非卢瑟福背散射分析中多次散射影响的研究

【作者】 付涛； 安竹； 朱敬军； 刘慢天；

【机构】 辐射物理及技术教育部重点实验室,四川大学原子核科学技术研究所；

【摘要】 在使用程序SIMNRA对背散射能谱进行分析时,能谱低能端的拟合往往不能令人满意,这可能是SIMNRA对多次散射的近似处理造成的。为了讨论其影响的大小,特别是存在非卢瑟福散射元素情况下的影响,本文采用能量为2MeV的质子束入射Si02、SiC薄靶,测量了散射角160。方向上的背散射能谱,分别用SIMNRA和基于蒙特卡罗方法的背散射模拟软件CORTEO进行了拟合。SIMNRA虽然在计算多次散射影响时采用了双散射近似,并且使用元素的卢瑟福散射截面代替非卢瑟福散射截面,但是其模拟结果与实验结果及CORTEO结果仍然吻合得比较好。研究表明对C、O、Si这类较轻的非卢瑟福散射元素,SIMNRA能够较好地处理对其的模拟。更多还原