溅射温度对于TaN薄膜应变敏感性能的影响研究

【作者】 李超； 周勇； 宋阳； 贺利军； 蒋书文；

【机构】 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室；

【摘要】 采用中频磁控溅射方法,在制备有绝缘层的金属基板上制备TaN薄膜应变计。并研究了溅射温度对于TaN薄膜微结构、室温电阻率以及对薄膜TaN应变计的电阻温度系数（TCR）和应变敏感系数（GF）的影响。结果表明,溅射温度对于TaN薄膜的微结构有着显著的影响,不同的溅射温度下,TaN会析出不同的晶相,不同晶相的TaN薄膜的电学性能和薄膜应变计的电阻温度系数都不相同。在400℃基片温度下,N₂分压为4%,溅射功率为200W的溅射条件下,制备的TaN薄膜应变计的TCR为50ppm/℃,GF为9。该条件下的薄膜应变计性能稳定,重复性好。更多还原