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光学头罩热辐射干扰饱和数值模拟研究
【机构】 哈尔滨工业大学；
【摘要】 应用有限元法模拟了飞行高度为15 km,马赫数4时不镀膜CVD ZnS光学头罩和表面镀上1300am HfO2的CVD ZnS的光学头罩的温度场分布情况。随后,根据光学头罩的温度场分布,仿真得到头罩干扰辐射强度的分布,从而对光学头罩的气动热辐射效应进行评估。模拟结果表明,不镀膜和镀膜CVD ZnS光学头罩的温度值相差不大,但是HfO2薄膜对CVD ZnS光学头罩的热辐射干扰饱和产生明显的延迟,提高了光学头罩抗热辐射效应的能力。
- 【会议录名称】 第八届中国功能材料及其应用学术会议摘要
- 【会议名称】第八届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】2013-08-23
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】TB306;TH74
- 【主办单位】中国仪表功能材料学会、重庆材料研究院、哈尔滨工业大学、《功能材料》期刊社