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升华法生长碳化硅单晶原生小面的宏观形态与微观形貌研究
【机构】 山东大学；
【摘要】 采用激光显微镜偏光拼接技术以及原子力显微镜AFM对升华法生长的4H、6H-SiC单晶进行了原生小面的宏观形态以及微观结构观察和测试,研究发现4H-SiC原生小面趋向于六边形的生长台阶而6H-SiC原生小面趋向于圆形的生长台阶。基于Jackson模型,从热力学角度计算了4H、6H-SiC单晶的Jackson因子a分别为33.34和32.05,故4H、6H-SiC单晶原生小面宏观形貌的差异是生长界面的粗糙程度引起的。原生小面的微管缺陷是生长台阶的生长源,以微管为中心散发出数条螺旋生长台阶。微管直径分布在760nm6.0μm之间;微管直径与伯格斯矢量平方值D/b2分布在11.123.6nm-1之间,即获得的微管结构数据不严格遵守Frank提出的模型。
- 【会议录名称】 第十七届全国晶体生长与材料学术会议摘要集
- 【会议名称】第十七届全国晶体生长与材料学术会议(CCCG-17)
- 【会议时间】2015-08-11
- 【会议地点】中国黑龙江哈尔滨
- 【分类号】O613.72;O78
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会