CdSiP₂单晶退火研究

【作者】 孙宁； 赵北君； 朱世富； 何知宇； 陈宝军； 黄巍； 吴敬尧； 林莉；

【机构】 四川大学材料学院；

【摘要】 以高纯（6N）Cd、Si、P单质为原料,采用双温区气相输运和改进的垂直布里奇曼法合成出高纯单相的CdSi₂多晶料和尺寸达Φ17×102mm的单晶体。对生长的单晶体进行切割抛光得到CdSi₂晶片,分别置于真空、镉气氛、磷气氛和同成分粉末包裹条件下进行退火实验。采用金相显微镜、X射线能量色散谱仪（EDS）和傅里叶红外分光光度仪（FTIR）对退火前后的晶片表面形貌、成分及红外透过率进行了测试分析。研究结果表明,真空和磷气氛下退火对CdSiP₂晶片的化学计量比影响较小,退火后晶片的红外透过率提高不显著;镉气氛和同成分粉末包裹退火后晶片表面成分接近理想化学计量比,尤其是镉气氛下退火对晶片的红外透过率改善较显著,在1600⁴500cm-1范围内的红外透过率由46%⁵2%提高到51%⁵7%,接近CdSi₂晶体红外透过率的理论值。更多还原