MOCVD法制备Ni_xZn_1-xO薄膜

【作者】 王瑾； 张仕凯； 殷伟； 王辉； 吴国光； 史志锋； 李万程； 董鑫； 张宝林； 杜国同；

【机构】 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院；

【摘要】 <正>作为一种被关注十多年的光电材料,ZnO(室温下禁带宽度3.36eV)具有光透过率高,热稳定性好,激子束缚能高(60meV),原料易得,价格低廉等特点,并且在发光器件、紫外探测器、太阳能电池等领域有重要的应用。ZnO基材料的掺杂及生长一直是ZnO材料研究领域的一个重点,目前关于过渡金属元素(Fe、Co,Mn,Ni)掺杂的ZnO基材料的研究也一直是ZnO研究领域的一个热点。最近关于Ni掺杂ZnO材料[1-2]研究的文章不断增多,尤其是在稀磁性半导体和自旋电子器件领域的潜在应用更加引起了人们的关更多还原