MOCVD法制备p-ZnO/n-SiC异质结器件

【作者】 史志锋； 伍斌； 蔡旭浦； 王辉； 王瑾； 夏晓川； 董鑫； 张宝林； 杜国同；

【机构】 集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院； 大连理工大学物理与光电工程学院；

【摘要】 <正>采用光辅助金属有机化学气相沉积(PA-MOCVD)技术在n-SiC(6H)衬底上制备了As掺杂的p型ZnO薄膜,并制作出相应的p-ZnO/n-SiC发光二极管原型器件,其中,n-SiC衬底和p-ZnO层分别以Ni和Au作接触电极,并对器件的特性进行了研究。实验中对所制备ZnO:As薄膜的表面形貌进行了扫描电子显微镜(SEM)表征,ZnO是以纳米柱的形式存在的,纳米柱的直径约为100 nm。此外,X射线衍射(XRD)和光致更多还原