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SiC晶体生长扩径技术
【机构】 西安理工大学电子工程系；
【摘要】 本文讨论了升华法生长SiC晶体的扩径技术。实验中通过对坩埚几何结构的改进和其它一些工艺参数的调整来探索其对扩径生长的影响。在采用圆柱型生长台、并在坩埚内近籽晶处加设锥面的实验中,晶体直径从56mm扩大到了60.6mm。当加大了锥面角度并缩小了生长室保护气体压强范围后的实验中,晶体直径从56mm扩大到了59.2mm。在将生长台面设计成锥形台,坩埚壁与竖直方向成8°角锥面的实验中,晶体直径从56mm扩大到了73mm。通过对实验结果的比较分析得出这种新型的坩埚结构有助于实现SiC晶体的扩径生长。
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国晶体学会