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高阻SiC晶体生长
【机构】 西安理工大学电子工程系；
【摘要】 <正>由于受到本底真空度的限制,很难实现高纯的高阻SiC衬底的制备。鉴于通过改进以非故意掺杂的方式来获得高阻SiC的难度性,本文主要通过往料源中掺入深能级杂质钒,对浅能级杂质氮进行补偿来提高SiC衬底的电阻率,并分别用石墨和Ni做电极测试了样品的电阻率,发现在一定的本底真空度下(<6.5×10-3Pa),掺钒可以有效地提高晶体的电阻率。
- 【会议录名称】 中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议学术论文摘要集
- 【会议名称】中国晶体学会第四届全国会员代表大会暨学术会议
- 【会议时间】2008-07-27
- 【会议地点】中国安徽黄山
- 【分类号】O782
- 【主办单位】中国晶体学会