Mg掺杂对ZnO发光性能的影响

【作者】 王旭； 马晶； 郝维昌； 王天民；

【机构】 北京航空航天大学材料物理与化学研究中心；

【摘要】 <正>ZnO室温下的禁带宽度约为3.3 eV,在室温下的激子发射效率较高,在制备紫外探测器、半导体激光器和发光二级管等光电器件方面具有广阔的应用前景。MgO在室温下的禁带宽度为7.70eV,其品格常数与ZnO相近。Mg掺杂的ZnO可改变其能带结构,使其具备紫外或蓝光发射能力。并且研究工作已经证明Mg掺杂的ZnO其带隙明显变宽,且没有品格失配的现象产生。因此,Mg_xZn_1-xO在紫外发射与探测及短波发光器件方面具有很大的潜在应用价值。更多还原