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杂质离子对刚玉中O-H-O3-结构的影响

INFLUENCE OF THE DOPED IONS ON O-H-O3- STRUCTURE IN VERNEUIL SAPPHIRE

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【作者】 陈川林理彬谢慧

【Author】 Chen Chuan (Analytical and Testing Centre,Academia Siaica,Chengdu) Lin Libin (Department of Physics,Sichuan University,Chengdu) Xie Hui (Analytical and Testing Centre,Sichuan University,Chengdu)

【机构】 中科院成都分院分析测试中心四川大学物理系四川大学分析测试中心

【摘要】 <正>根据离子昌体局部电中性要求,利用Verenit方法制备的刚玉中,因富氧焰聏引入的H+离子绝大部分扩散到着色离子等杂质或缺陷耐近,对H+离子红外谱的研究,就可以了解所掺杂质击围的环境。本文通过对大量各种掺杂的刚玉样品进行了红外谱的分析测试,复现H+离子的红外蜂在2580-3400cm-1之间,由重要基团振动区域图和刚玉中常见成份的X-H基态振动频率,除了O-H为3735

【Abstract】 Compariag the results of IR spectra stadias of a large naaher of doped Vernenll sapphires with protron radiation and Czochralski growth samptes,four new H* IR peaks have been the first time distingmished at mica-1,2919cm-1,2955 cm-1 and 3164cm-a.The coaptex aodeI of H* with aetal ion has been forward,characteristic IR peak sites of the H+ with one of At3+,Ti3+,V3+Cr3+,Fe3+,Co3+,Ni3+ and"cation vacaay"are given also. Some phenoaena are explaised better.

  • 【会议录名称】 全国第六届分子振动光谱学术报告会文集
  • 【会议名称】全国第六届分子振动光谱学术报告会
  • 【会议时间】1990-09-13
  • 【会议地点】中国山东青岛
  • 【分类号】TQ164.2;O657.33
  • 【主办单位】中国化学会物理化学委员会、中国光学会光谱专业委员会
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