节点文献
磷化铟材料的热稳定性研究
【作者】 王阳; 杨瑞霞; 杨帆; 刘志国; 李晓岚; 康永; 张鑫; 李宁; 孙同年; 孙聂枫;
【机构】 河北工业大学信息工程学院; 中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路重点实验室;
【摘要】 InP具有高电光转换效率、强抗辐射能力、易于制成半绝缘材料、作为太阳能电池材料的转换效率高等优点。这些特性决定InP材料在固态发光、微波通信、光纤通信、卫星等民用和军事领域的应用十分广阔。热场情况对磷化铟晶体的生长起到很重要的作用。磷化铟晶锭及晶片的热处理主要通过高温退火炉进行应力退火。将准备好的晶锭或者晶片放入退火炉内,根据磷化铟材料的特性设定好温度区间,进行程序退火。本文主要对磷化铟的合成、单晶生长和后期的热处理进行了实验研究。根据热应力分布的不同情况,设计并开展了多种条件下的单晶生长的实验及退火实验。分析了影响热场的因素、热应力的产生及应力分布与位错密度的关系。
- 【会议录名称】 第十六届全国晶体生长与材料学术会议论文集-02半导体材料器件及应用
- 【会议名称】第十六届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2012-10-21
- 【会议地点】中国安徽合肥
- 【分类号】O614.372
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会