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硅中氧、碳微区测量技术的研究
【机构】 机电部第46研究所；
【摘要】 <正>硅半导体超大规模集成电路的高速发展对硅材料质量也提出了更高的要求。硅单晶中间隙氧为电中性非金属杂质,主要显非电活性,氧的"钉扎"作用可使硅晶体机械强度提高,但是经热处理后,氧从电中性变为浅施主,对器件产生有害的影响。硅中替位碳可作为氧沉淀和微缺陷的成核中心,与硅中稀土杂质发生相互作用。硅中氧、碳含量及其分布均匀性直接影响器件的可靠性和成品率,用红外显微光谱技术测量Si中氧、碳含量及其分布与常规测量相比,能提供更为精确、
- 【会议录名称】 第五届华北、东北地区理化会议论文集
- 【会议名称】第五届华北、东北地区理化会议
- 【会议时间】1993-09-01
- 【会议地点】中国天津
- 【分类号】TQ127.2
- 【主办单位】电子学会华北、东北地区理化分会