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发光二极管电子辐照后缺陷行为的DLTS研究

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【作者】 鲍桂珍； 张若愚； 刘春香； 刘全民； 李浩；

【机构】 机电部46所； 天津技术物理所；

【摘要】 <正>一、引言采用GaP制作的发光二极管,具有体积小、寿命长、易与集成电路相匹配等特点,已广泛用于各种仪器仪表、文字符号图象的显示,在光电子学和信息处理技术中越来越发挥重要作用。但发光管的发光效应除受材料固有性质影响外,还受晶格缺陷的影响,因此,我们在低于50℃下用高能电子辐射GaP:N发光二极管,

  • 【会议录名称】 第四届理化分析经验交流会论文集（下册）
  • 【会议名称】第四届理化分析经验交流会
  • 【会议时间】1990-07-01
  • 【会议地点】中国辽宁兴城
  • 【分类号】TN312.8
  • 【主办单位】中国电子学会生产技术学会理化专业委员会
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