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双频容性耦合Ar/CF4等离子体中双频源参数对刻蚀微观不均匀性影响的研究
【机构】 大连理工大学 物理与光电工程学院；
【摘要】 <正>引言经过近几十年的快速发展,半导体集成电路中微电子器件制造工艺的特征尺度己小于几十纳米。在这样的尺度下,依赖深宽比的刻蚀（ARDE）,微负载（micro loading）,旁刻（notching）等微观不均匀性制约了特征尺度的进一步减小。碳氟基气体放电等离子体常用于SiO2介质刻蚀中,其表面反应的物理化学过程复杂,需要通过优化工艺
- 【会议录名称】 第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会会议摘要集
- 【会议名称】第十六届全国等离子体科学技术会议暨第一届全国等离子体医学研讨会
- 【会议时间】2013-08-15
- 【会议地点】中国上海
- 【分类号】O53;TN305.7
- 【主办单位】中国力学学会等离子体科学与技术专业委员会、中国物理学会等离子体物理分会、中国核科学核聚变与等离子体物理学会