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基于普通三极管电光调Q驱动器的实验研究
Experiment Study of Eletro-optics Q-switch Driver Based on Normal Transistors
【Author】 Chen Wei,Sun Feng,Liu Zaizhou(1 Huazhong Institute of Electro-Optics-Wuhan National Laboratory for Optoelectronics,Wuhan,430074,China)
【机构】 华中光电技术研究所-武汉光电国家实验室;
【摘要】 利用三极管的雪崩效应获得高电压、快速电光调Q脉冲存在三个不足:雪崩效应不稳定、输出电压调节范围小、供电电压高。针对以上不足采取在三极管基漏极加电感抑制雪崩效应不稳,用高压场效应管替代两个三极管提高输出电压调节范围,利用Marx Bank电路,降低供电电压。实验结果显示:电光调Q脉冲前沿2ns,幅度3500~6000V连续可调,供电电压600V。
【Abstract】 Using transistors avalanche effect to obtain high voltage high speed Eletro-optics Q-switch drive pulse has three defects: instability of avalanche effect,short voltage adjust range and high voltage of power supply.Contain shock by introduced inductance between transistor base and emission,increase voltage adjust range by high voltage MOSFET instead of two transistors;reduce power supply voltage by sued Marx Bank circuit.Experiment results show that rise time of Q-switch pulse 2ns,voltage magnitude 3500~6000V,power supply voltage 600V.
【Key words】 Eletro-optics Q switch; avalanche effect; inductance; Marx Bank circuit;
- 【会议录名称】 中国光学学会2011年学术大会摘要集
- 【会议名称】中国光学学会2011年学术大会
- 【会议时间】2011-09-05
- 【会议地点】中国广东深圳
- 【分类号】TN32
- 【主办单位】中国光学学会