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光助电化学刻蚀法制作大面积高深宽比硅微通道板的研究
【机构】 深圳大学光电子学研究所；
【摘要】 湿法刻蚀的影响因素是多方面的,本文选取电压、电流、掺杂浓度、反应液浓度、光照、刻蚀时间等因素对光助电化学刻蚀法进行理论分析研究,通过多次实验,最终确定通过小电压、小电流、长时间的方法制作高深宽比硅微通道板。对经过刻蚀得到的微孔阵列壁厚、微孔深度、表面形貌、孔壁平整度以及尖端形貌等进行观察,得到壁厚2um,孔径8um,深度达到300um的圆形微孔阵列。满足后期制作微通道板要求。
- 【会议录名称】 中国光学学会2011年学术大会摘要集
- 【会议名称】中国光学学会2011年学术大会
- 【会议时间】2011-09-05
- 【会议地点】中国广东深圳
- 【分类号】TN305.7
- 【主办单位】中国光学学会