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ZnO纳米晶的拉曼光谱
【机构】 安徽大学物理与材料科学学院和现代实验技术中心； 阜阳师范学院教务处；
【摘要】 <正>氧化锌(ZnO)是重要的Ⅱ-Ⅵ族半导体氧化物,室温下禁带宽度为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV,远高于GaN的激子束缚能,强激子束缚能有利于获得有效的激子复合,是一种适用于室温或更高温度下的紫外光发射材料。自从纳米结构ZnO在室温下受激辐射现象被发现,它在短波光电器件领域,如紫外发光二极管以及紫外传感器等方面显示出巨大的应用潜力。
- 【会议录名称】 第十五届全国光散射学术会议论文摘要集
- 【会议名称】第十五届全国光散射学术会议
- 【会议时间】2009-10-18
- 【会议地点】中国河南郑州
- 【分类号】O433.4;TN304.21
- 【主办单位】中国物理学会光散射专业委员会