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高温离子注入靶盘设计简介
【机构】 中国电子科技集团公司第四十八研究所；
【摘要】 <正>前言:离子注入是半导体制造中的常用工艺,是器件有源层制备的主要手段之一[1]。在碳化硅注入掺杂、离子注入SOI材料(SIMOX)等工艺中,对离子注入有着高温注入技术的特殊要求。碳化硅掺杂,由于碳化硅材料本身的高密度和低杂质扩散系数,无法采用体硅工艺中成熟的扩散工艺,而
- 【会议录名称】 2010中国电子制造技术论坛论文集
- 【会议名称】2010中国电子制造技术论坛
- 【会议时间】2010-12-01
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TN305.3
- 【主办单位】中国电子学会电子制造与封装技术分会