节点文献
90年代中期制造新型金刚石阵列场发射体D—FEA的方法(二)
【作者】 刘光诒； 柯锦松； 朱敏慧； 朱长纯； 淮永进； 董晓； 林彰达；
【机构】 中科院电子所； 西安交大电子系； 774厂； 中科院物理所；
【摘要】 本文侧重国际真空微电子学VME(Vacuum Microelectronics)领域内制造金刚石阵列场发射体D-FEA(Dlamond Coated Field Emission Array)的几种重要新方法,是文献的继续,在这一部份除介绍较成熟的制造低含H量多晶金刚石D-FEA的汽-液-固相VLS(Vapor-Liquid-Solid)法,制造可控含H量(无H或低H)类金刚石碳膜DLC(Diamond-LikeCarbon)的等离子体增强化学气相沉积PECVD(Plasma-Enhanced Chemical VaporDeposi tion)法+逐层沉积LBL(Layer-By-Layer)技术外,还简单总结了90年代中期D-FEA达到的发射水平,介绍了研制D-FEA过程中发现的与电子发射能力密切相关的有效负电子亲和势问题。
【关键词】 真空微电子学VME；
金刚石阵列场发射体D-FEA；
汽-液-固VLS相法；
逐层沉积LBL技术；
有效负电子亲和势；
- 【会议录名称】 中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会论文集
- 【会议名称】中国电子学会真空电子学分会第十一届学术年会
- 【会议时间】1997-08-20
- 【会议地点】中国山东青岛
- 【分类号】TN304.055
- 【主办单位】中国电子学会真空电子学分会