场增强a—Si:H光电发射体的量子效率

【作者】 海宇涵； 奚中和；

【机构】 中科院电子所； 北京大学；

【摘要】 <正>菲晶硅材料在可见光范围有很强的光吸收能力和很高的光敏性。且容易掺杂,价廉易造,已广泛用于太阳电池等器件中。Schade和Pankove研究了它的光电发射性能。他们用Cs和O₂激活ρ型a—Si:H膜,获得了负电子亲和势（NEA）表面。但量子效率极低,仅10^-4。光电发射一般考虑三步过程:光激发、输运到表面和逸入真空。甚低的量子效率主要与第二步有关。Schade的a—Si:H光电发射体虽有很好的光敏性和NEA表面,但电子扩散长度很更多还原