【作者】 姜建义； 余菊华； 许存义； 刘春荣；
【机构】 安徽大学物理系； 中国科大结构成分分析中心；
【摘要】 <正>我们用Spexl 403型喇曼光谱仪分别测量了高电阻率单晶硅和硅上热氧化膜的喇曼谱,扣除硅衬底的喇曼散射频移,便可获得硅上热氧化SiO更多还原
