手机用砷化镓单刀双掷射频开关

【作者】 蒋幼泉； 李拂晓； 黄念宁； 陈继义； 邵凯； 杨乃彬；

【机构】 南京电子器件研究所；

【摘要】 报道了一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在820～950MHz下,插入损耗（I_L）≤0.4dB,回波损耗（R_L）≥19.5dB,反向三阶交调(P_TOI)≥67dBm,隔离度（Iso）≥15.5dB,控制电压为（0,+4.75V）。更多还原