高成品率手机用砷化镓单片开关

【作者】 李拂晓； 蒋幼泉； 陈继义； 钮利荣； 高建峰； 邵凯； 杨乃彬；

【机构】 南京电子器件研究所；

【摘要】 采用砷化镓3英寸0.7μm离子注入MESFET标准工艺技术研制出手机用砷化镓单片开关（以下简称单片开关）。该单片开关面积1310×1250μm²,总栅宽36mm,工作频率DC-2GHz,1GHz下插入损耗I_L小于0.52dB,隔离度I_so大于17dB,驻波VSWR≤1.3,2GHz下I_L小于0.7dB,I_so大于11 dB,驻波≤1.3,反向三阶交调P_TOI优于64dBm,1W射频信号下的栅漏电小于20μA。连续五批共60片的统计结果表明,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低84%,最高96%;微波参数成品率在75%～86%之间,代表着国内砷化镓单片电路成品率的最高水平。更多还原