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理想导体目标近场及表面场分析
【机构】 西安电子科技大学微波电信工程系；
【摘要】 本文应用正弦反应方法分析了理想导体目标的表面场及近区场。选择了横向余弦分布的分段正弦基(PWS),使得同一平面面元之间的自/互阻抗表达式成为一重积分,提高了精度、加快了运算速度,此外面元的表面场也可以闭式得到。研究了利用面元的几何位置快速填充阻抗矩阵的方法,同时提出用Gauss积分求解非共面面元之间互阻抗的方法。最后给出数值实例,计算了理想导体弯曲平板及立方体在平面波照射下表面电流及表面场,并与脉冲基、点选配的矩量法进行了对比,结果表明本文方法的正确性及优越性。
【基金】 国家自然科学基金资助项目(69871021)
- 【会议录名称】 1999年全国微波毫米波会议论文集(上册)
- 【会议名称】1999年全国微波毫米波会议
- 【会议时间】1999-10-01
- 【会议地点】中国湖南长沙
- 【分类号】O441.4
- 【主办单位】中国电子学会