【作者】 赵国南； 郭裕顺；

【机构】 杭州电子学院微电子CAE研究所；

【摘要】 本文叙述用门阵列母片来实现GaAs超高速集成电路的可行性及其复杂性。同时,阐述必须采取宏元胞库和自动时间驱动约束布图算法等措施才能较有成效。按门阵列芯片中联线一般可看作RC传输线的基础上,分析了其电特性,包括延时等等。此外说明了当制造工艺发生改变时,宏元胞库中所有的库单元都得相应改变,甚至不再能使用而必须全部重新设计。因此在目前GaAs工艺尚未完全成熟以前,该设计应有预见性。一种砷化镓金属半导体肖特基势垒栅场效应管(GaAs MESFET)的增强型/耗尽型直接耦合场效应管逻辑(Enhancement/Depletion Mode Direct coupled FET Logic),或简称E/D型DCFL,远比现有的BFL、SDFL等等仅耗尽型管的逻辑族类有效。它单电源,功耗小,速度快,在功耗0.6mW内开关延迟仅50～60ps,故结构紧凑,有利大规模集成,作为宏元胞库依据是有充分理由的。更多还原