【作者】 沈毅龙； 费元春；
【机构】 北京理工大学；
【摘要】 与目前常用的FET器件相比,HEMT-高电子迁移率晶体管具有许多优良特性。本文介绍的X波段低噪声放大器,采用HITACHI公司生产的HEMT管2SK1615,运用图解分析与计算机优化相结合的设计方法,取得了满意结果。该放大器具有噪声系数低、增益较高、电路尺寸小的优点。更多还原
