电源模块中关键器件的加速寿命试验

【作者】 吕长志； 马卫东； 黄春益； 张小玲； 谢雪松； 王东凤； 李志国；

【机构】 北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室；

【摘要】 使用印刷电路板仿制电源模块的电路,保证电路中的关键器件在实际的工作条件下被单独施加序进的温度应力,进行以电学参数退化为基础的加速寿命试验。克服了不能对电源模块中的关键器件施加较高温度应力进行加速寿命试验的困难。试验获得电源模块中关键器件VDMOS、SBD的失效敏感参数分别为跨导Gm、反向漏电流Ir;其失效激活能分别为:0.89eV、0.55eV;VDMOS的平均寿命t=3.8×108小时:SBD的平均寿命t=2.7×10~7小时。更多还原