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Al3+:KTP晶体的缺陷分析及其电导率测定
【作者】 常新安； 臧和贵； 陈学安； 肖卫强； 张彦栋； 华晓晓；
【机构】 北京工业大学材料科学与工程学院；
【摘要】 KTP晶体是一种具有优异的频率转换、电光和声光性能的非线性光学晶体。但是高温溶液生长的KTP晶体在电光应用中的一个明显缺陷是电导率偏高,其主要原因之一是高温溶液生长时温度高(与水热法相比)造成氧缺失带来的O2-空位,并由此产生K+空位,它们在电场作用下参与导电,另一个原因是KTP晶体结构本身存在c向K+通道,参与导电[1]。针对后者,我们通过掺半径较K+大的离子Cs+以堵塞K+通道,取得了较好的效果[2]。而空位的问题我们试图通过掺价态低于Ti(IV)的Al3+离子以减少晶体中的空位,从而降低电导率。
- 【会议录名称】 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第15届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2009-11-06
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】O77
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会