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纳米氮化镓的制备、光学性质与理论模拟
【作者】 胡晓琳； 庄乃锋； 章永凡； 陈德贤； 陈建中； 李俊篯；
【机构】 福州大学化学化工学院；
【摘要】 氮化镓(GaN)是近十年发展起来的一种前景甚佳的直接宽带隙半导体材料,在室温下带隙宽为3.39eV,具有优良的光、电学性质和优异的机械性质及热稳定性,在高亮度LED、光学存储、激光打印以及无线基站等应用领域具有明显的竞争优势。由于制备GaN单晶、薄膜或量子点材料均需要以高质量、单相的GaN粉末作为前体原料,因此本文开展了GaN粉末的制备、光学性质与理论模拟的研究。
【基金】 国家自然科学基金(50772023);福建省自然科学基金(2009J01243)
- 【会议录名称】 第15届全国晶体生长与材料学术会议论文集
- 【会议名称】第15届全国晶体生长与材料学术会议
- 【会议时间】2009-11-06
- 【会议地点】中国浙江宁波
- 【分类号】O472
- 【主办单位】中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会