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掺硼纳米硅薄膜结构及其光电性能应用研究

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【作者】 张溪文； 韩高荣；

【机构】 材料与化学工程学院浙江大学；

【摘要】 <正>本文以载玻片（7101）、硅片（P型、单面抛光）为衬底,以SiH4（40%,H2稀释）、高纯H2作为气源和B2H6（1%,H2稀释）作为掺杂气体,在13.56MHz电容耦合式PECVD单室系统中制备P型na-Si:H薄膜。上述气体分子经辉光放电分解成等离子体,并在直流偏压形成的电场下沉积到衬底上。通过热蒸发法在上述已沉积的P型na-Si:H膜表面蒸镀共面平行双Al电极以供电导率测试。

  • 【会议录名称】 第六届华东三省一市真空学术交流会论文集
  • 【会议名称】第六届华东三省一市真空学术交流会
  • 【会议时间】2009-10-22
  • 【会议地点】中国上海
  • 【分类号】TB383.2
  • 【主办单位】上海市真空学会、江苏省真空学会、安徽省真空学会、浙江省真空学会
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