【作者】 顾磊磊； 郑凯波； 孙大林； 陈国荣；

【Author】 Gu Leilei,Zheng Kaibo,Sun Dalin,Chen Guorong~* (Department of Materials Science,Fudan University,Shanghai 200433,P.R.China)

【机构】 复旦大学材料科学系；

【摘要】 本文采用化学气相沉积法（CVD）制备了磷掺杂p型ZnO纳米线,并且用扫描电子显微谱（SEM）,拉曼谱（RM）,X光衍射谱（XRD）以及光致发光谱对其性质进行表征;通过"lift-off"法制备了单根磷掺杂ZnO纳米线的场效应管,并对其电学性质进行表征,纳米线的载流子浓度和迁移率分别为1.51×10⁹cm^-1和0.803 cm²/（VS）。更多还原

【Abstract】 Phosphorus-doped p-type ZnO nanowires（NWS） were prepared by CVD and characterized with Scanning Electronic Microscope（SEM）,Raman Microscope（RM）,X-ray diffraction（XRD） and Photo-luminescence Microscope（PL） in this letter.And further,field effect transistor（FET） based on single nanowire was fabricated in"lift-off"mechanism and its electrical property was characterized.The carrier concentration and mobility were estimated to be 1.51×10⁹cm^-1 and 0.8 cm²/（VS）,respectively.更多还原