【作者】 陈焘； 罗崇泰； 王多书； 熊玉卿；

【Author】 CHEN Tao LUO Chong-tai WANG Duo-shu XIONGYu-qing (National Key Lab.of Surface Engineering,Lanzhou Institute of Physics,Lanzhou 730000,China)

【机构】 兰州物理研究所表面工程技术国家级重点实验室；

【摘要】 在硅基底上用电子束蒸发方法制备了二氧化钛薄膜。通过XRD、AFM和薄膜应力测试仪研究了沉积速率、沉积温度和离子束轰击对薄膜应力的影响规律。结果表明沉积温度、沉积速率和离子束轰击对二氧化钛薄膜的应力有重要的影响。当沉积温度为323K、沉积速率为0.2nm/s时,二氧化钛薄膜具有较小的应力值,平均应力为48.2MPa。离子束轰击薄膜不仅改变了薄膜应力的大小,而且薄膜应力由张应力变为压应力。用能量为113eV的离子束轰击300s时,平均应力由72.9MPa的张应力变为16.7MPa的压应力。AFM和XRD测试结果显示二氧化钛薄膜微观结构变化是影响应薄膜力的主要因素。更多还原

【Abstract】 TiO₂ films were fabricated on Si substrate by using electron-beam gun evaporation.Influence of deposition rate,deposition temperature and ion beam bombarding on stress in TiO₂ films was studied by AFM and XRD.The results show that deposition temperature of 423K and deposition rate of 0.2nm/s,the average stress in TiO₂ thin films is less than 48.2MPa.The average stress decreases to compressive stress of 16.7MPa from tensile stress of 72.9MPa by the ion beam energy of 113eV and bombarding time of 300s.The microstructure change of TiO₂ films is main factors of stress development.更多还原