自持金刚石厚膜上GaN薄膜的沉积及其表征

【作者】 张东； 白亦真； 秦福文； 贾福超； 赵纪军； 姜辛；

【机构】 大连理工大学物理与光电工程学院； 大连理工大学三束材料改性实验室； 大连理工大学高科技研究院； 大连理工大学材料科学与工程学院；

【摘要】 <正>利用金属有机化合物气相沉积设备(MOCVD),改变氮气流量,在自持金刚石厚膜上沉积GaN薄膜,采用X射线衍射谱,反射式高能电子衍射谱、扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜进行表征,结果表明:GaN薄膜有较好的择优取向,表面较平整、均匀,满足SAW器件的制备要求。更多还原