【作者】 赵鹏； 薛俊明； 倪牮； 袁育杰； 侯国付； 孙建； 张建军； 赵颖； 耿新华；

【Author】 Zhao Peng,Xue Jun-mi ng~*,Ni Jian,Yang Xing-yun,Yuan Yu-jie,Hou Guo-fu,Sun Jian,Zhang Jian-jun,Zhao Ying,Geng Xin-hua (Institute of Photo-electronic Thin Film Devices and Technique of Nankai University, Key Laboratory of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique of Tianjin, Key Laboratory of Optoelectronics Information Science and Technology, Chinese Ministry of Education, Tianjin,300071,China)

【机构】 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所； 南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室； 南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室；

【摘要】 采用RF-PECVD技术,制备NIP型非晶硅太阳能电池。系统研究了P型窗口层的掺杂浓度（B₂H₆/SiH₄）和氢稀释率（H₂/SiH₄）对电池开路电压（Voc）的影响,制备出Voc达到0.87V,FF达到0.66,效率为8.18%的NIP型非晶硅电池,将此沉积技术应用到不锈钢衬底,制备出初始效率为6.5%的单结非晶硅电池。更多还原