【作者】 王朋； 杨德仁； 李晓强； 汪雷； 阙端麟；

【Author】 Wang peng Yang Deren Li Xiaoqiang Wang lei Que Duanlin State key lab of silicon materials and Department of materials science and engineering,Zhejiang University.Hangzhou 310027,China

【机构】 浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室；

【摘要】 本文结合光学显微镜(OM)观察位错腐蚀坑,利用MWPCD对铸造多晶硅不同部位的样品少子寿命进行了分析。不同部位的样品的平均位错密度达10~5/cm~2,顶部位错密度最高。不同部位的样品钝化后寿命均有提高,吸杂后寿命提高更多。底部原生样品[Fei]最高,位错密度最低,吸杂后寿命提高最显著。顶部样品因为高密度的位错,吸杂后寿命提高没有底部明显。[Fei]等过渡族金属杂质是影响少子寿命的主要因素,位错等缺陷密度限制吸杂寿命提高。更多还原