【作者】 肖俊峰； 汪雷； 杨德仁； 李晓强； 朱鑫；

【Author】 Xiao Junfeng,Wang Lei,Yang Deren~*,Li Xiaoqiang,Zhu Xin (State Key Lab of Silicon Material Science,Department of Materials Science and Engineering,Zhejiang University,Hangzhou, 310027,China)

【机构】 浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室；

【摘要】 本文研究了损伤层去除与否对单晶硅制绒的影响。结果显示,在腐蚀初期,不去损伤层的硅片形成线条状的腐蚀坑,腐蚀后先达到反射率极小值且极小值比去除损伤层的抛光片腐蚀后的极小值要大,腐蚀后期,大金字塔表面和周围形成大量的细小金字塔。抛光片在腐蚀初期形成大量的小凸起,腐蚀40min时形成致密均匀的金字塔结构,腐蚀后期,金字塔结构分化,金字塔部分长大,部分变小。更多还原