离子注入制备Si基稀磁半导体研究

【作者】 欧阳中亮； 郭立平； 黎明； 叶舟； 施训； 艾志伟； 彭挺； 付德君； 杜红林； 陈海英； C.X.Liu；

【机构】 武汉大学物理科学与技术学院加速器实验室； 北京大学物理学院； Department of Mathematics,Alabama A&M University,4900 Meridian Street,Normal,AL 35762；

【摘要】 用200Kv Mn离子注入p型Si（001）单晶,在1×10¹⁵～5×10¹⁶Mn⁺/cm²注入剂量范围内都观测到磁滞回线,表明样品有铁磁性存在。随着注入剂量的增加,饱和磁化强度有增强的趋势,退火后磁化强度较退火前有较大幅度的减小,增加退火温度又逐渐增加。Mn原子的平均磁矩随着注入剂量的增加逐渐减小。对于高注入剂量样品,退火后Mn原子磁矩值较退火前显著减小,增加退火温度,磁矩值逐渐增加。对于低注入剂量样品,Mn原子磁矩值则呈现出随退火温度增加而略有增加,而后又大幅度减小。更多还原