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国产晶体管的长期贮存可靠性
【作者】 吕长志； 张小玲； 谢雪松； 程尧海； 王东凤； 李志国；
【机构】 北京工业大学电子信息与控制工程学院微电子可靠性研究室；
【摘要】 测试了存贮24-37年的国产14种型号晶体管的输出特性。贮存37年的3DK7F 100只中,1只发生致命性失效;4只晶体管的共射极直流电流放大倍数hFE减小超规范失效,其最大退化率为-50%,年均退化率-1.35%。存贮29年的3DG101F,7只中有3只hFE的减小超过-30%,占该批晶体管43%,hFE最大退化从110减小到73,退化率为-34%。年均退化率-1.2%。存贮30年的J3AX54B hFE增加幅度最大,从120增加到134,增加了12%。年均增加0.4%。测试结果表明:在长期贮存中,晶体管的输出特性会发生退化;hFE值即有增加,也有减小。
- 【会议录名称】 2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会论文集
- 【会议名称】2009第十三届全国可靠性物理学术讨论会
- 【会议时间】2009-10-19
- 【会议地点】中国江西玉山
- 【分类号】TN32
- 【主办单位】中国电子学会可靠性分会、中国电子学会元件分会、中国电子学会半导体与集成技术分会、中国电子学会材料学分会、中国仪器仪表学会泛珠三角区域分会联盟、广东省电子学会、广东省仪器仪表学会、中国电子产品可靠性与环境试验研究所（中国赛宝实验室 工信部电子五所）、电子元器件可靠性物理及其应用技术国防科技重点实验室、《电子产品可靠性与环境试验》期刊编辑部