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InSb1+xNx晶体的带隙调整及其红外应用

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【作者】 李金华； 张道华； 付学成； 王彦；

【机构】 江苏工业学院电子科学与工程系； 南洋理工大学电子电气工程学院；

【摘要】 <正>锑化铟(InSb)是常用的红外光电子材料,单晶具有高达10~5cm~2/Vs的电子迁移率,其俄歇寿命是HgCdTe的3倍,是能带间隙最小的Ⅲ-V族化合物材料,在77K时,它的禁带宽度是0.23eV,利用其内光电效应可以制备性能优良的中红外波段(3～5μm)红外探测器和凝视焦平面阵列。室温(300K)时的禁带宽度约0.177eV,不能满足8～12μm的探测要求。研究表明,可以

【关键词】 红外材料和红外探测； InSb晶体； 能带间隙调制； 离子注入；
  • 【会议录名称】 第十二届全国红外加热暨红外医学发展研讨会论文及论文摘要集
  • 【会议名称】第十二届全国红外加热暨红外医学发展研讨会
  • 【会议时间】2009-10-14
  • 【会议地点】中国江苏南京
  • 【分类号】TN213
  • 【主办单位】中国光学学会红外光电器件专业委员会、中国光学光电子行业协会红外专业分会、中国电子学会量子电子学与光电子学分会、中国光学学会锦州分会、云南省光学学会、中国机械工程学会工业炉分会、中国电工技术学会电热专业委员会、国家红外产品质量监督检验中心
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