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浮栅存储器的总剂量辐射效应研究进展
【作者】 刘张李； 张正选； 毕大炜； 张帅； 田浩； 俞文杰； 陈明； 王茹；
【机构】 中国科学院研究生院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室；
【摘要】 本文对浮栅存储器的总剂量辐射效应进行详细分析和讨论,主要内容包括浮栅存储器控制电路和存储单元的总剂量辐射效应。指出:总剂量辐射效应对浮栅存储器的影响主要是在隧道氧化层、栅之间的绝缘层中产生电荷,引起浮栅上电荷的变化。
- 【会议录名称】 第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会论文集
- 【会议名称】第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会
- 【会议时间】2009-07-01
- 【会议地点】中国辽宁沈阳
- 【分类号】TP333
- 【主办单位】中国电子学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国核学会核电子学与核探测技术分会抗辐射电子学与电子脉冲专业委员会、中国工程物理研究院电子工程研究所