【作者】 吴倞； 张维佳； 郭卫； 沈燕龙； 赵而敬； 张静；

【Author】 WU Jing, ZHANG Wei-jia, GUO Wei, SHEN Yan-long, ZHAO Er-jing, ZHANG Jing (Department of Physics, Beihang University, Beijing 100191, China)

【机构】 北京航空航天大学物理科学与核能工程学院；

【摘要】 采用等离子体化学气相沉积(PECVD)方法制备了B掺杂纳米硅薄膜。研究了B烷掺杂比、射频功率对掺B纳米硅薄膜生长特性和光电性能的影响。研究结果表明,掺杂少量的B有利于非晶硅薄膜晶化,随着掺B量的增加又使薄膜变为非晶态;射频功率的增加有利于薄膜的晶化和晶粒的生长,但随着射频功率的继续升高,薄膜晶粒密度有所增加,但晶粒尺寸大小有降低的趋势。通过对p型纳米硅薄膜光电性能的研究,对其沉积参数进行优化,可用于单结纳米硅薄膜太阳电池的制备。更多还原

【Abstract】 Highly conductive boron-doped hydrogenated nanocrystalline silicon (nc-Si:H) films and solar cells are prepared by plasma enhanced chemical vapour deposition(PECVD). The main results obtained in this paper as follows:light boron doping favors crystallization of the nc-Si:H. As boron dopant contents increases, the catalyst poisoning of boron results in amorphous phase; as plasma power increase, it promotes crystallization of the nc-Si∶H. With the optimum p-layer deposition parameters, a nc-Si∶H solar cell is prepared.更多还原