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热处理对掺硼金刚石膜电性能与欧姆接触的影响
Heat—treatment Influence on Electrical Property and Ohmic Contact of Boron-doped Diamond Films
【作者】 杨邦朝； 贾宇明； 高新宏； 恽正中； 苟立； 冉均国；
【Author】 Yan Bangchao Jia Yuming Gao Xinhong Yun Zhengzhong (Inxtitute of Information Material Engineering, University of Electronic Science and Technology,Chengdu,Sichuan,610054,China) Gou Li Ran Junguo (Sichuan Union University,Chengdu 610041,China)
【机构】 电子科技大学·信息材料工程学院； 四川联合大学；
【摘要】 采用微波PCVD的方法:在Si3N4或Si基片上制备了掺硼金刚石膜。我们研究了热处理对这种金刚石膜电性能以及欧姆接触的影响。
【Abstract】 Boron-doped diamond films are deposited on Si3N4 or Si substrate by using microwave PCVD method.We have investigeted heat-treatment influence on electrical property and Ohmic contact of the diamond films.
【关键词】 掺硼金刚石膜；
热处理；
电性能；
欧姆接触；
【Key words】 boron-doped diamond films； heattreatment electrical property； Ohmic contact；
【Key words】 boron-doped diamond films； heattreatment electrical property； Ohmic contact；
【基金】 国家自然科学基金资助项目
- 【会议录名称】 第二届中国功能材料及其应用学术会议论文集
- 【会议名称】第二届中国功能材料及其应用学术会议
- 【会议时间】1995-10-23
- 【会议地点】中国四川成都
- 【分类号】TB383.2
- 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会薄膜专业委员会、机械工业部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部、大连理工大学、中国科技大学、北京科技大学、吉林大学、东北大学、中国科学院上海冶金研究所、中国科学院半导体研究所、北京大学、清华大学、南京大学、华中理工大学、武汉工业大学、电子科技大学、四川联合大学、西北工业大学、北京工业大学、东南大学、青岛化工学院、北京航空航天大学、山东工业大学