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N—二十二烷基吡啶嗡—TCNQ导电LB膜的研究

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【作者】 袁春伟； 陈春云； 卢伟； 吴海明；

【机构】 东南大学生物医学工程系；

【摘要】 <正>1前言在氮气氛中,用Lanmuir-Blodgett（LB）技术制得的N-二十二烷基吡啶嗡-TCNQ （NDP-TCNQ）超薄膜的横向电导率在10-7～10-8S/cm,此绝缘膜与碘蒸气作用形成混合价态的TCNQ柱列使得电导率升至约10-1S/cm,我们在空气中用NDP—TCNQ制取LB膜,得到了新的结果。

  • 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】1992-10-26
  • 【会议地点】中国广西桂林
  • 【分类号】TB383.2
  • 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
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