节点文献

PLVD法制备YBa2 Cu3 O7-δ/YS2/Al2 O3（SiO2,Si）高Tc超导薄膜

  • 推荐 CAJ下载
  • PDF下载
  • 不支持迅雷等下载工具，请取消加速工具后下载。

【作者】 李运钧； 张兵临； 范守善； 施常青；

【机构】 河南省基础及应用科学研究所郑州大学； 清华大学物理系；

【摘要】 <正>1引言由于近几年来Tc超导薄膜的制备有了很大的突破,目前制备超导薄膜正沿着向实用衬底及超导电子器件发展。美国、日本率先在硅单晶上制备出Tc（0）=86K,Jc～106A/cm2 （77K）的超导薄膜;在Al2O3（li02）衬底上制备出Tc=（0）=89K,Jc～106A/cm2 （77K）的超导薄膜;在SiO2上制备出Tc（0）=83K的超导薄膜,PLVD方法是国内外公认的制备这些超导薄膜的最有效的方法之一。如今,如何在实用衬底上（Al2O3,SiO2, Si,GaAs等）制备出高Tc,Jc和低Rs（微波表面电阻）的薄膜成为制备超导薄膜的焦点。

  • 【会议录名称】 首届中国功能材料及其应用学术会议论文集
  • 【会议名称】首届中国功能材料及其应用学术会议
  • 【会议时间】1992-10-26
  • 【会议地点】中国广西桂林
  • 【分类号】TB383.2
  • 【主办单位】中国仪器仪表学会仪表材料学会、八六三计划新材料领域功能材料专家组、中国材料研究学会（CMRS）、中国电子学会电子材料学学会、中国金属学会材料科学学会、中国物理学会发光分会、中国光学学会光学材料专业委员会、机电部重庆仪表材料研究所、《功能材料》编辑部
打印本页
节点文献中：